[发明专利]带有对用于选择存储单元的辅助字线的控制的半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 98120349.3 申请日: 1998-09-02
公开(公告)号: CN1210341A 公开(公告)日: 1999-03-10
发明(设计)人: 俣野达哉 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C11/407 分类号: G11C11/407
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器件具有一个主行译码器,用于控制主字线,一个辅助行译码器,用于控制辅助字线,以及辅助字线驱动电路,可由主字线和辅助字选择线控制,用于控制辅助字线来选择存储单元。该半导体存储器件包含一个分层字线系统,其中,字线不需要以金属化互联进行连接。主字线和辅助字选择线控制辅助字线驱动电路,在一种未选定状态下向一个辅助字线提供一个由负电位发生器产生的任一负电压,在一种选定状态下只将一选定辅助字线保持为高电平。
搜索关键词: 带有 用于 选择 存储 单元 辅助 控制 半导体 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件包括:一个主行译码器,可响应内部地址信号而被激活,用于激活一个主字线;一个辅助行译码器,可响应内部地址信号而被激活,用于从多个辅助字选择线中选择相应于内部地址信号的辅助字选择线;辅助字线驱动电路,分别与连接到一个存储单元阵列中的存储单元晶体管的辅助字线和辅助字选择线相连,当一个主字线被激活并且选定一个相应的辅助字选择线时,用于激活一个相应的辅助字线,并且当未选定一个相应的辅助字选择线时,用于将一个相应的辅助字线保持在负电位;以及一个负电位发生器,用于向所述主行译码器、所述辅助行译码器和所述辅助字线驱动电路提供一个负电位。
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