[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 98119662.4 | 申请日： | 1998-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1229280A | 公开（公告）日： | 1999-09-22 |
| 发明（设计）人： | 石田雅宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体衬底(1)的主表面上形成具有接触孔(15a～17a)的层间绝缘膜(12)。在层间绝缘膜(12)上形成金属硅化物膜(13)。形成多晶硅膜(18),使其从接触孔(15a～17a)内延伸到金属硅化物膜(13)上。利用该多晶硅膜(18)和金属硅化物膜(13)形成局部布线(19a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第1导电型的第1杂质区(11a3)，在半导体衬底(1)的表面上形成；第2导电型的第2杂质区(10a2)，与所述第1杂质区隔开一定间隔、在所述表面上形成；绝缘层(12)，在所述表面上形成，具有到达所述第1和第2杂质区的第1和第2接触孔(15a、17a)；非金属性导电膜(18)，通过所述第1和第2接触孔与所述第1和第2杂质区进行导电性连接，覆盖所述第1和第2接触孔内底部和侧部，分别与所述第1和第2杂质区相接；以及布线层，包括金属性导电膜(13)，该导电膜(13)不与该非金属性导电膜的所述第1和第2接触孔内底部的表面相接，而与所述非金属性导电膜连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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