[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第1导电型的第1杂质区(11a3)，在半导体衬底(1)的表面上形成；

第2导电型的第2杂质区(10a2)，与所述第1杂质区隔开一定间隔、在所述表面上形成；

绝缘层(12)，在所述表面上形成，具有到达所述第1和第2杂质区的第1和第2接触孔(15a、17a)；

非金属性导电膜(18)，通过所述第1和第2接触孔与所述第1和第2杂质区进行导电性连接，覆盖所述第1和第2接触孔内底部和侧部，分别与所述第1和第2杂质区相接；以及

布线层，包括金属性导电膜(13)，该导电膜(13)不与该非金属性导电膜的所述第1和第2接触孔内底部的表面相接，而与所述非金属性导电膜连接。

2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

所述金属性导电膜(13)在所述绝缘层(12)上形成，在所述第1和第2接触孔(15a、17a)上具有贯通孔(13a、13c)。

3.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

在位于所述第1和第2接触孔(15a、17a)内的所述非金属性导电膜(18)上分别形成第1和第2绝缘层(26、26)，

所述金属性导电膜(25a)延伸到所述绝缘层(12)上和所述第1和第2绝缘层上。

4.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第1导电型的第1杂质区(11a3)，在半导体衬底(1)的主表面上形成；

第2导电型的第2杂质区(10a2)，与所述第1杂质区隔开一定间隔、在所述主表面上形成；以及布线，

所述布线包括：

第1和第2导体部(18)，由不含金属的导电膜构成，通过第1和第2接触部(40、42)分别与所述第1和第2杂质区相接；以及

第3导体部(13)，由包含金属的导电膜构成，不与位于所述第1和第2接触部的正上方的所述第1和第2导体部的一部分表面相接，通过所述第1和第2导体部与所述第1和第2杂质区进行导电性连接。

5.如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

所述第3导体部在所述第1和第2导体部的一部分表面上具有开口(13a、13c)。

6.如权利要求5中所述的半导体装置，其特征在于：

在所述主表面上形成具有到达所述第1和第2杂质区的第1和第2接触孔(15a、17a)的层间绝缘膜，

所述第1和第2导体部在所述第1和第2接触孔内形成，分别具有延伸到所述第1和第2接触孔的侧壁上的第1和第2延伸部，

所述第3导体部在所述层间绝缘膜上形成，在所述第1和第2接触孔上具有开口，与所述第1和第2延伸部连接。

7.如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

将用于提高该第1和第2导体部的导电性的杂质导入到所述第1和第2导体部中，

所述第3导体部将用于防止所述杂质被所述第3导体部吸收的杂质扩散防止膜(26)夹在中间，延伸到所述第1和第2导体部的一部分表面上。

8.如权利要求7中所述的半导体装置，其特征在于：

在所述主表面上形成具有到达所述第1和第2杂质区的第1和第2接触孔的层间绝缘膜，

所述第1和第2导体部(18、18)分别在所述第1和第2接触孔内形成，分别具有延伸到所述第1和第2接触孔的侧壁上的第1和第2延伸部，

所述杂质扩散防止膜分别在所述第1和第2接触孔内形成，

所述第3导体部与所述第1和第2延伸部连接。

9.如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置具备存储单元，该存储单元包括：一对驱动MOS晶体管；一对存取MOS晶体管；以及一对负载用MOS晶体管，

所述驱动MOS晶体管或所述存取MOS晶体管具有所述第1杂质区，

所述负载用MOS晶体管具有所述第2杂质区。

10.如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：

所述第1和第2导体部包含导入了用于提高导电性的杂质的多晶硅膜，

所述第3导体部包含金属硅化物膜。