[发明专利]使用导电针用于光掩模的抗静电方法无效
| 申请号： | 98117632.1 | 申请日： | 1998-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1209641A | 公开（公告）日： | 1999-03-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎浩 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法中,至少两个导电针插入光掩模,从而导电针与导电光屏蔽层接触。然后,光掩模被置于电子束曝光装置的暗盒(71)中。再通过导电板(72)使导电针与暗盒电连接。这样,在导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电针向暗盒放电。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 导电 用于 光掩模 抗静电 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法，包括以下步骤：把至少两上导电针插入所述光掩模，从而使所述导电针与所述导电光屏蔽层接触；在把所述导电针插入所述光掩模之后把所述光掩模置于电子束曝光装置的暗盒(71)中；通过导电板(72)把所述导电针电连接到所述暗盒，以使在所述导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从所述导电针向所述暗盒放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
