[发明专利]使用导电针用于光掩模的抗静电方法无效
申请号: | 98117632.1 | 申请日: | 1998-08-24 |
公开(公告)号: | CN1209641A | 公开(公告)日: | 1999-03-03 |
发明(设计)人: | 山崎浩 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 导电 用于 光掩模 抗静电 方法 | ||
1.一种用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法,包括以下步骤:
把至少两上导电针插入所述光掩模,从而使所述导电针与所述导电光屏蔽层接触;
在把所述导电针插入所述光掩模之后把所述光掩模置于电子束曝光装置的暗盒(71)中;
通过导电板(72)把所述导电针电连接到所述暗盒,以使在所述导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从所述导电针向所述暗盒放电。
2.如权利要求1的方法,还包括通过检测所述导电针之间的电阻是否低于预定值来检测所述导电针是否与所述导电光屏蔽层接触的步骤。
3.如权利要求1的方法,其中所述插入步骤是通过对施加于所述光掩模的力进行调节的力调节单元(19)把所述导电针插入所述光掩模的。
4.一种用于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)的抗静电方法,包括以下步骤:
通过使用一个在其端部具有吸垫(15)的吸臂从导电针支架(2)拾取至少两个导电针(21),并使接触电阻探测针(16)与所述导电针接触;
把所述导电针移动到所述光掩模并将所述导电针插入所述光掩模,直到所述导电针之间的电阻值低于预定值为止;
在将所述导电针插入所述光掩模之后使吸臂释放所述导电针;
在所述吸臂从所述导电针除去后把所述光掩模置于电子束曝光装置的暗盒(71)中并将所述导电针电连接到所述暗盒上。
5.一种用于把抗静电导电针(21)安装于包括导电光屏蔽层(32)的光掩模(3)上的导电针安装装置,包括:
至少两个吸臂(13),用于吸取所述导电针;
至少两上电阻探测针(16),每个分别设置于所述吸臂的侧面,用于与所述导电针电接触;
电阻测量计(18),与所述电阻探测针相连,用于探测所述电阻探测针之间的电阻值。
6.如权利要求5的装置,还包括至少两个绝缘吸垫(15),其每个设置在所述吸臂的一端。
7.如权利要求5的装置,还包括至少两个力调节单元(19),其每个为所述吸臂之一提供,用于调节由所述吸臂之一施加于所述光掩模的力。
8.如权利要求7的装置,其中每个所述力调节单元包括用于推动所述吸臂之一的弹簧(192)。
9.一种用于电子束装置中的光掩模(3)的抗静电导电针,其特征在于,它是具有至少一个锥形突起(21a)的圆形的。
10.一种用于电子束装置中的光掩模(3)的抗静电导电针,其特征在于它是具有至少一个锥形突起(21a)的多边形的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造