[发明专利]使用导电针用于光掩模的抗静电方法

说明书

本发明涉及用于包括导电光屏蔽层的光掩模的抗静电方法。

在电子束曝光装置中，当光掩模电子被充电时，电子束的轨迹被充电的电子弯折，从而不可能在光掩模上绘出准确图形。

另一方面，光掩模一般是通过玻璃基片、玻璃基片上的由Cr制成的光屏蔽层、光屏蔽层上的由CrO制成的反射避免(reflection avoiding)层，以及反射避免层上的电子束阻挡(resist)层制成的。这个光掩模放置在电子束曝光装置的暗盒(cassette)中，用于在其上绘制图形。

为避免光掩模中的电子，即其光屏蔽层中的电子被充电，在暗盒中被弹簧支撑的导电针插入光掩模中。这样，在光屏蔽层充电的电子有效地从导电层放电。这种情况下，如果施加于导电针的力不够，则不可能使导电针穿过电子束阻挡层和反射避免层。结果，导电针不会与光屏蔽层接触。与此相反，如果施加于导电针的力太强，则过量的作用力作用到光掩模，结果，光掩模畸变或变形，从而也不可能在光掩模上绘成准确的图形。

在第一现有技术用于光掩模的抗静电方法中，与光屏蔽层相比，反射避免层的尺寸减小了，结果导电针很容易地穿透电子束阻挡层，到达光屏蔽层，这是由于导电针下面没有反射避免层(见JP-A-4-371952)。这将在后面详细描述。

然而在第一现有技术光掩模中，通过汽化处理在光屏蔽层上形成反射避免层需要覆盖光屏蔽层外周边的夹具，所以反射避免层的厚度变得不均匀，特别是在这个夹具的边缘周围。

在第二现有技术光掩模中，导电针与电子束阻挡层接触，另外，高电源电极穿透电子束阻挡层并到达光屏蔽层。此状态中，当高电源电压施加于高电源电极时，在导电针和光屏蔽层之间的电子束阻挡层部分被静电破坏，从而导电针与光屏蔽层接触(见JP-A-2-125416)。这也将在后面详细描述。然而第二现有技术光掩模，使装置复杂化，所以制造成本高。

本发明的目的是提供一种用于光掩模的改进的抗静电方法。不需减小反射避免层的尺寸并且不需要复杂的装置。

根据本发明，在用于包括导电光屏蔽层的光掩模的抗静电方法中，至少两个导电针插入光掩模，从而使导电针与导电光屏蔽层接触。然后，光掩模放置在电子束曝光装置的暗盒中。再通过导电板使导电针与暗盒电连接。这样，在导电光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电针向暗盒放电。

通过参照附图并与现有技术对比，使本发明更清楚地被理解，其中：

图1A是表示第一现有技术光掩模的平面图；

图1B是沿图1A中的线Ⅰ-Ⅰ截取的剖面图；

图1C是其中设置有图1A和1B的光掩模的电子束曝光装置的暗盒平面图；

图1D是在图1C的导电针周转的光掩模的剖面图；

图2是第二现有技术光掩模的截面图；

图3A是根据本发明导电针安装装置的透视图；

图3B是根据本发明导电针支架的透视图；

图3C是根据本发明光掩模的透视图；

图4是沿图3A的线Ⅳ-Ⅳ截面的剖面图；

图5是沿图3C的线Ⅴ-Ⅴ截取的剖面图；

图6A、6B、6C和6D是用于解释图3A的导电针安装装置的操作的示意图；

图7A是其中设置图3C的光掩模的电子束曝光装置的暗盒的平面图；

图7B是沿图7A的线Ⅶ-Ⅶ截取的剖面图；

在说明优选实施例之前，首先参照图1A、1B、1C、1D和图2解释现有技术光掩模。

图1A表示第一现有技术光掩模，图1B是沿图1A的线Ⅰ-Ⅰ截取的剖面图(见JP-A-4-371952)。在图1A和1B中，参考标记101表示其上形成由Cr制成的光屏蔽层102的玻璃基片。而且，在光屏蔽层102上形成CrO制成的反射避免层103，这样，通过在晶片曝光处理过程中多次反射可以抑制图形的准确性的减少。此情况下，与光屏蔽层102相比，反射避免层103尺寸减小了，因而光屏蔽层102的外周边暴露出来。

电子束阻挡层104，在图1A和1B中未示出，但在图1C和1D中示出了，涂覆在图1A和1B的光掩模的整个表面上。然后，如图1C所示，光掩模被设置在电子束曝光装置的暗盒105中。然后在光掩模上设置导电板(弹簧)106。结果，由于在导电针106a的下面没有反射避免层，如图1D所示，所以导电板106的导电针106a很容易地穿透电子束阻挡层104，到达光屏蔽层102。这样，在光屏蔽层被电子束充电的电子有效地从导电板106放电。