[发明专利]半导体存储装置

摘要

设置了在使扰动测试信号(TESTUBBS)和自刷新信号(/BBU)激活时使小电压值检测器(38)激活而且可使大电压值检测器(36)失效的切换电路(40)。因此,不仅在扰动测试方式时,而且在自刷新方式时,由基板电压发生电路(34)发生与小电压值检测器(38)的检测电压值相等的低的基板电压(VBB)。结果,能够防止因增设小电压值检测器(38)而导致的面积的增大。

主权项

1．一种半导体存储装置，具有通常方式、扰动测试方式和自刷新方式，其特征在于，包括：存储器单元(MC)，包括存取晶体管(101)；基板电压发生单元(34)，用于发生供给上述存取晶体管(101)的基板的基板电压(VBB)；第一基板电压检测单元(36)，检测从上述基板电压发生单元(34)来的基板电压(VBB)，在该检测的基板电压(VBB)的绝对值比第一阈值小时，使上述基板电压发生单元(34)激活；第二基板电压检测单元(38)，检测从上述基板电压发生单元(34)来的基板电压(VBB)，在该检测的基板电压(VBB)的绝对值比第二阈值(小于上述第一阈值)小时，就使上述基板电压发生单元(34)激活；以激活单元(40)，在上述通常方式时，激活上述第一基板电压检测单元(36)，在上述扰动检测方式及上述自刷新方式时，使上述第二基板电压检测单元(38)激活。