[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1．一种半导体存储装置，具有通常方式、扰动测试方式和自刷新方式，其特征在于，包括：

存储器单元(MC)，包括存取晶体管(101)；

基板电压发生单元(34)，用于发生供给上述存取晶体管(101)的基板的基板电压(VBB)；

第一基板电压检测单元(36)，检测从上述基板电压发生单元(34)来的基板电压(VBB)，在该检测的基板电压(VBB)的绝对值比第一阈值小时，使上述基板电压发生单元(34)激活；

第二基板电压检测单元(38)，检测从上述基板电压发生单元(34)来的基板电压(VBB)，在该检测的基板电压(VBB)的绝对值比第二阈值(小于上述第一阈值)小时，就使上述基板电压发生单元(34)激活；以    

激活单元(40)，在上述通常方式时，激活上述第一基板电压检测单元(36)，在上述扰动检测方式及上述自刷新方式时，使上述第二基板电压检测单元(38)激活。

2．权利要求1记载的半导体存储装置，其特征在于：

上述激活单元(40)包括

测试信号发生单元(42)，发生测试信号(TEST,/TEST)；

控制单元(44)，控制上述测试信号发生单元(42)，使得当表示上述扰动测试方式的扰动测试信号(TESTUBBS)和表示上述自刷新方式的自刷新信号(/BBU)中的任一个激活时，就激活上述测试信号(TEST,/TEST)，在上述扰动测试信号(TESTUBBS)及上述自刷新信号(/BBU)都不激活时，就使上述测试信号(TEST、/TEST)失效；

上述第一基板电压检测单元(36)响应上述激活的测试信号(TEST,/TEST)而失效，上述第二基板电压检测单元(38)响应上述/激活的测试信号(TEST、/TEST)而激活。

3．权利要求2记载的半导体存储装置，其特征在于，上述控制单元(44)包括接受上述扰动测试信号(TESTUBBS)及上述自刷新信号(/BBU)的或电路(442)。

4．权利要求1记载的半导体存储装置，其特征在于，上述第二基板电压检测单元(38)包括可调整上述第二阈值的阈值电路(39)。

5．权利要求4记载的半导体存储装置，其特征在于，上述阈值电路(39)包括串联连接的多个晶体管(384～386)和与上述多个晶体管(384～386)中的至少一个并联连接的开关元件(391,392)。

6．权利要求1记载的半导体存储装置，其特征在于，还包括连接单元(46,48)，在进入上述扰动测试方式或上述自刷新方式后的规定时间，使上述基板与接地结点(2)连接。

7．权利要求1记载的半导体存储装置，其特征在于，还包括预激活单元(52,54)，在脱离上述扰动测试方式或上述自刷新方式时，使上述基板电压发生单元(34)预激活。