[发明专利]有输入/输出掩码功能且不破坏数据位的半导体存储器件

摘要

公开了一种半导体同步动态随机存取存储器件,它在块写模式下有输入/输出掩码功能,多个位线对被同时连接到一对已经在输入/输出掩码功能中被预充电电路(15)充电至电源电压的数据线对(IOBT/IOBN)上,以阻止存储单元中的电流从差动放大器流出。预充电电路不仅包含有p沟道型充电晶体管,还包含n沟道增强型充电晶体管;即使位线对被连接到数据线对上,n沟道增强型充电晶体管通过数据线对向位线对供给电,防止了在位线对上的电势差受到不应有的破坏。

主权项

1．一种半导体存储器件，包括：多个存储单元(1a至1n)，用来存储数据位；多个位线对(BL1／BL1B至BLn／BLnB)，有选择地连接到所述多个存储单元中，用来从所述多个存储单元传导代表数据位的电势差信号；多个差动放大器(2a至2n)，连接在一个第一电源电压线(2b)和一个与所述第一电源电压线电位不同的第二电源电压线(2c)之间，激活后用来提高所述多个位线对上的所述电势差的幅值；一个数据线对(IOBT／IOBN)；一个选择器(13)，它连接在所述多个位线对和所述数据线对之间，用于在掩码功能中依照选择信号(φ1至φn)，将所述多个位线对同时连接到所述数据线对上；和一个预充电电路(15)，它连接到所述数据线对上，用来向数据线对充电，其特征是在所述预充电电路中包括：第一充电晶体管(Qp21／Qp22)，它连接在一个第三电源电压线与所述数据线对的数据线之间，依照预充电控制信号(φP)形成一种导电类型(P)的第一导通通道，用来将所述数据线充电至所述第三电源电压线的电源电压；和第二充电晶体管(Qn21／Qn22)，它连接在所述第三电源电压线和所述数据线之间，依照所述预充电信号的互补信号(φPB)，形成相反导电类型(N)的第二导通通道，将所述数据线充电至一个特定电平(Vdd-Vthn)，该电平低于所述第三电源电压，是所述第三电源电压减去所述第二充电晶体管的阈值。