[发明专利]高速缓冲存储器装置等的半导体存储装置无效
| 申请号： | 98102321.5 | 申请日： | 1998-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1204086A | 公开（公告）日： | 1999-01-06 |
| 发明（设计）人： | 奥山博昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 黄永奎 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 高速缓冲存储单元阵列内,至少设置有一行存储单元的特定存储单元行,并作为回写缓冲器。向上述特定存储单元行(回写缓冲器)退避时,由任意的字线选中高速缓冲存储单元阵列内的同一行存储单元,应退避所有的数据,通过位线对同时一次写入到上述特定存储单元行中。因此,由于无须通过数据总线,就可以写入到特定存储单元行中,所以可以大幅度减少访问高速缓冲存储器的次数,提高吞吐量并降低微处理器的消耗电能。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 缓冲存储器 装置 半导体 存储 | ||
【主权项】：
1．一种半导体存储装置，具有将在沿行方向延伸的多条字线和沿列方向延伸的多条位线对的交叉部分别连接的存储单元配置成阵列形状的存储单元阵列，由任一条字线选中与该字线相连的同一行的存储单元，相对于所选中的存储单元，通过与这些存储单元连接的位线对可以进行数据的读出及写入，其特征是在所述存储单元阵列内，包含有在沿行方向延伸的至少有一行存储单元的特定存储单元行，具有当由所述任一条字线选中同一行的存储单元时，这些存储单元的数据，通过与这些存储单元连接的位线对，全部可以写入到所述特定存储单元行中的写入方式。
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