[发明专利]具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器无效
| 申请号： | 98101733.9 | 申请日： | 1998-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1200558A | 公开（公告）日： | 1998-12-02 |
| 发明（设计）人： | 野田研二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘文意 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个包括两个交叉耦合驱动MOS晶体管和两个连接到所述驱动MOS晶体管的转移MOS晶体管的静态随机存储器单元中,一组驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的栅极形成在一个半导体基片上以及一组晶体管的源极/漏极杂质扩散区域(8)形成在该半导体基片内。一组与半导体基片相同导电型的小区域(5)形成在该半导体基片内,每个小区域邻近驱动晶体管之一的源极和栅极下面。该小区域的杂质浓度比半导体基片的杂质浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 邻近 驱动 晶体管 极小 区域 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一个包括两个交叉耦合驱动MOS晶体管(Qd1，Qd2)和两个连接到所述驱动MOS晶体管的转移MOS晶体管(Qt1，Qt2)的静态随机存取存储器单元，其特征在于它包括：一个第一导电型的半导体基片(1)；一组所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的栅极(3a，3b)，形成上述半导体基片；一组相对于所述第一导电型的第二导电型的第一杂质扩散区(8)，形成在所述基片内，每个所述第一杂质扩散区形成所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的源极和漏极之一；一组形成在所述半导体基片内的所述第一导电型的小区域(5)，所述每个小区域邻近于驱动MOS晶体管的源极及在说的驱动晶体管之一的栅极之下；一个所述小区域的杂质浓度大于所述半导体基片的杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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