[发明专利]具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器

权利要求书

1.一个包括两个交叉耦合驱动MOS晶体管(Q_d1，Q_d2)和两个连接到所述驱动MOS晶体管的转移MOS晶体管(Q_t1，Q_t2)的静态随机存取存储器单元，其特征在于它包括：

一个第一导电型的半导体基片(1)；

一组所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的栅极(3a，3b)，形成上述半导体基片；

一组相对于所述第一导电型的第二导电型的第一杂质扩散区(8)，形成在所述基片内，每个所述第一杂质扩散区形成所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的源极和漏极之一；

一组形成在所述半导体基片内的所述第一导电型的小区域(5)，所述每个小区域邻近于驱动MOS晶体管的源极及在说的驱动晶体管之一的栅极之下；

一个所述小区域的杂质浓度大于所述半导体基片的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于所述驱动MOS晶体管的所述栅极的长度小于所述转移MOS晶体管的所述栅极的长度。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于还包括一组所述第二导电型的第二杂质扩散区(6)，伴随所述半导体基片形成并且邻近于所述驱动MOS晶体管和所述转移MOS晶体管的源极和漏极，

一个所述第二杂质扩散区杂质浓度比所述第一杂质扩散区杂质浓度低。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于还包括两个作为负载(R₁，R₂)连接到所述驱动MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于还包括两个作为负载连接到所述驱动MOS晶体管的薄膜晶体管(Q_p1，Q_p2)。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于具有非负载类型。

7.一种用于制造静态随机存取存储器单元的方法，它包括两个交叉耦合驱动MOS晶体管(Q_d1，Q_d2)和两个连接到所述驱动MOS晶体管的转移MOS晶体管(Q_t1，Q_t2)，其特征在于它包括以下步骤：

在第一导电型的半导体基片(1)上形成一个栅极绝缘层(2)；在所述栅极绝缘层上形成所述转移MOS晶体管和所述驱动MOS晶体管的栅极(3a，3b)：

在所述栅极和所述半导体基片上形成一个光刻胶模型(4，4’)，所述光刻胶模型对应于所述驱动MOS晶体管的源极具有一个开口；

用所述光刻胶模型掺杂第一杂质到所述半导体基片以形成所述第一导电型小区域(5)，所述小区域的杂质浓度大于所述半导体基片的杂质浓度；

在所述小区域形成后，移去光刻胶模型；以及

在所述光刻胶模型被移去后，用所述作为屏蔽的栅极掺杂第二杂质到所述半导体基片以形成所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的第一源极/漏极区域(8)，

所述第二导电型的第一源极/漏极区域对应于所述第一导电型。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述驱动MOS晶体管的栅极长度比所述转移MOS晶体管的栅极的长度小。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于在所述第一源极/漏极区域形成之前，还包括在所述栅极的侧面上形成侧面绝缘层(7)的一步骤，

象所述作为屏蔽栅极一样采用所述侧面绝缘层的所述第二杂质掺杂步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于在所述光刻胶模型被移走之后和所述侧面绝缘层形成之前，还包括一个采用所述作为屏蔽的栅极掺杂第三杂质到所述半导体基片以形成具有比所述第一源极/漏极区域杂质浓度小的所述第二导电型的第二源极/漏极区域的步骤。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于在所述光刻胶模型被移走之前，还包括一个采用所述作为屏蔽的栅极掺杂第三杂质到所述半导体基片以形成具有比所述第一源极/漏极区域杂质浓度小的所述第二导电型的第二源极/漏极区域的步骤。