[发明专利]一种等离子体蚀刻装置及其方法无效
| 申请号： | 98100083.5 | 申请日： | 1998-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1191463A | 公开（公告）日： | 1998-08-26 |
| 发明（设计）人： | 大内雅彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;C23F4/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰,卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的等离子体蚀刻装置包含刻蚀室;在刻蚀室中形成的下电极,下电极用于在其上装载半导体器件;在刻蚀室中形成的上电极,上电极与下电极平行;用于向下电极提供第一频率波和向上电极提供第二频率波的频率电源;以及用于调节第一和第二频率波之间的相位差使其大于或等于90度而小于180度的相位差调节器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 蚀刻 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，它包含：刻蚀室；在所述刻蚀室内形成的下电极，所述下电极用于在其上装载半导体器件；在所述刻蚀室中形成的上电极，所述上电极与所述下电极平行；以及用于调节提供给所述下电极的第一频率波与提供给所述上电极的第二频率波之间的相差使该相位差大于或等于90度并小于180度的装置。
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