[发明专利]一种等离子体蚀刻装置及其方法

权利要求书

1、一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，它包含：

刻蚀室；

在所述刻蚀室内形成的下电极，所述下电极用于在其上装载半导体器件；

在所述刻蚀室中形成的上电极，所述上电极与所述下电极平行；以及

用于调节提供给所述下电极的第一频率波与提供给所述上电极的第二频率波之间的相差使该相位差大于或等于90度并小于180度的装置。

2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置包含：一频率电源，用于向所述下电极提供所述第一频率波及向所述上电极提供所述第二频率波；以及一个用于调节的相位差调节器。

3、根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一频率波具有比所述第二频率波超前的相位。

4、根据权利要求3所述的装置，其特征在于，在所述上电极与所述刻蚀室之间存在一敞开的空间以在所述上电极和所述刻蚀室之间产生等离子体。

5、根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述刻蚀室接在地电位上。

6、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一频率波大于或等于7.5×10^-2Watt/cm²。

7、根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二频率波的功率大于或等于1Watt/cm²。

8、根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述半导体器件包括一层金属硅化物膜，并从氯气(2)和氧气(O₂)的组合和盐酸(HCl)与氧气(O₂)的组合中选择出一组气体，引入所述刻蚀室中对所述金属硅化物膜进行蚀刻。

9、根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述半导体器件包括多晶硅膜，并将包含氯气(Cl₂)和HBr的气体引入所述刻蚀室中刻蚀所述多晶硅膜。

10、根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一和第二频率波各为13.56MHz。

11、一种等离子蚀刻装置，其特征在于，它包含：

一刻蚀室；

在所述刻蚀室中形成的下电极，所述下电极用于在其上装载半导体器件；

在所述刻蚀室中形成的上电极，所述上电极与所述下电极平行；以及

用于向所述下电极提供第一频率波的第一频率电源；

将所述下电极与所述刻蚀室绝缘的第一绝缘部分；

用于向所述上电极提供第二频率波的第二频率电源；

将所述上电极与所述刻蚀室绝缘的第二绝缘部分；以及

与所述第一和第二频率电源耦合的相位差调节器，它调节所述第一频率波与所述第二频率波之间的所述相位差，使其大于或等于90度并小于180度。

12、根据权利要求11所述的装置，其特征在于，在所述上电极与所述刻蚀室之间存在一个空间用以在所述上电极与所述刻蚀室之间产生等离子体。

13、根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述上部电极内设置一个孔用以将蚀刻气体引进所述刻蚀室。

14、根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一频率波的功率大于或等于7.5×10^-2Watt/cm²。

15、根据权利要求14所述的装置，其特征在于，所述第二频率波的功率大干或等于1Watt/cm²。

16、根据权利要求15所述的装置，其特征在于，所述半导体器件包括一层金属硅化物膜，并将从由氯气(Cl₂)和氧气(O₂)所组成的气体以及由盐酸(HCl)和氧气(O₂)的组成的气体中选出的一组气体引进所述刻蚀室刻蚀所述金属化物膜。

17、根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述半导体器件包括多晶硅膜，并将含有氯气(Cl₂)及HBr的气体引进所述刻蚀室刻蚀所述多晶硅膜。

18、根据权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第一和第二频率波各为13.56MHz。