[发明专利]含有铍的II－VI型蓝－绿激光二极管无效
| 申请号： | 97195749.5 | 申请日： | 1997-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1223022A | 公开（公告）日： | 1999-07-14 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·J·米勒;迈克·A·哈斯;保罗·F·博德;迈克·D·帕施雷 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体激光二极管(10)包括若干Ⅱ－Ⅵ族半导体叠层,它们构成一个由镓砷半导体基片(12)所支持的PN结。在该PN结中形成的该叠层包括第一传导型的第一包覆层(20),第二传导型的第二包覆层(22),以及至少一个在上述第一和第二包覆层(20,22)之间的第一导引层(14)。一个离子井活性叠层(18)设在该PN结内。电能通过第一和第二电极(40,41)连接至上述激光二极管(10)。在该激光二极管中形成各类叠层(14、16、20、22、36、38)时均使用了铍。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 ii vi 激光二极管 | ||
【主权项】：
1．一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，包括：包括Be的第一传导型Ⅱ-Ⅵ族半导体的第一包覆层；覆盖该第一包覆层的Ⅱ-Ⅵ族半导体的第一导引层；覆盖活性层的Ⅱ-Ⅵ族半导体活性层；以及覆盖在第二导引层的、第二传导型Ⅱ-Ⅵ族含铍的第二包覆层。
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