[发明专利]含有铍的II－VI型蓝－绿激光二极管无效
| 申请号： | 97195749.5 | 申请日： | 1997-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1223022A | 公开（公告）日： | 1999-07-14 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·J·米勒;迈克·A·哈斯;保罗·F·博德;迈克·D·帕施雷 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含有 ii vi 激光二极管 | ||
1．一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，包括：
包括Be的第一传导型Ⅱ-Ⅵ族半导体的第一包覆层；
覆盖该第一包覆层的Ⅱ-Ⅵ族半导体的第一导引层；
覆盖活性层的Ⅱ-Ⅵ族半导体活性层；以及
覆盖在第二导引层的、第二传导型Ⅱ-Ⅵ族含铍的第二包覆层。
2．根据权利要求1所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中，该第一包覆层包括BexMgyZn1-x-ySe,其中，0＜x≤1，并且0≤y≤1。
3．根据权利要求1或2所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中，该第二包覆层包括BexMgyZn1-x-ySe，其中，0＜x≤1，并且0≤y≤1。
4．根据权利要求2或3所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中，x大约为0.075,y大约为0.12。
5．根据权利要求1至4中任何一个权利要求所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中第一导引层包括BexZn1-xSe(0＜x≤1)。
6．根据权利要求1至5中任何一个权利要求所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中该第二导引层包括BexZn1-xSe(0＜x≤1)。
7．根据权利要求5或6所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中x大约为0.03。
8．根据权利要求1至7任何一个权利要求所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中所述包覆和导引层与该单一晶体半导体基片的晶格常数相匹配。
9．根据权利要求1至8任何一个权利要求所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中所述活性层是由包括有CdZnSe、ZnSe、BeCdSe、BeMgZnSe或BeZnCdSe的组中选取的。
10．根据权利要求1至9任何一个权利要求所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体激光二极管，其中所述活性层具有比导引层带隙能量小至少大约200meV的光学过渡能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司，未经明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97195749.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
