[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 96198419.8 | 申请日： | 1996-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1100344C | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | H·诺斯特姆 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,王其灏 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文涉及在制造半导体元件中的一种选择刻蚀方法，该方法中在同一半导体材料的晶体衬底(1)上沉积该半导体材料的非晶层(6)。在非晶层(6)上沉积至少一层介质层(7)，以防止上述非晶层(6)晶化。优选地借助于PECVD、SACVD、MBE工艺或自旋涂敷工艺沉积介质层(7)。对得到的结构(1)制作布线图案，此后在预定区或区域(9)内刻蚀掉介质层(7)和非晶半导体层(6)。该方法还可构成制造具有自对准基极-发射极结构的双极性晶体管的分步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在制造半导体元件中的选择刻蚀方法，其特征在于：-在同一半导体材料的单晶体衬底(1)上沉积一层厚度为几百毫微米的半导体材料的非晶形层(6)；-在非晶形层(6)上沉积至少一层介质层(7)，以防止上述非晶形层(6)晶化；-对得到的结构(8)制作布线图案，此后在预定区或区域(9)内刻蚀掉介质层(7)和非晶形半导体层(6)；以及-对得到的结构进行热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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