[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种在制造半导体元件中的选择刻蚀方法，其特征在于：

-在同一半导体材料的单晶体衬底(1)上沉积一层厚度为几百毫微米的半导体材料的非晶形层(6)；

-在非晶形层(6)上沉积至少一层介质层(7)，以防止上述非晶形层(6)晶化；

-对得到的结构(8)制作布线图案，此后在预定区或区域(9)内刻蚀掉介质层(7)和非晶形半导体层(6)；以及

-对得到的结构进行热处理。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过PECVD、SACVD、MBE工艺或自旋涂敷工艺沉积介质层(7)。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于由PETEOS形成介质层(7)。

4、根据权利要求1-3中任一权利要求所述的方法，其特征在于借助于CVD工艺在基片(1)上沉积非晶形层(6)。

5、根据权利要求1-3中任一权利要求所述的方法，其特征在于在250-400℃的温度范围内沉积介质层(7)。

6、根据权利要求1-3中任一权利要求所述的方法，其特征在于采用硅作半导体材料。

7、一种制造具有自对准基极-发射极结构的双极性晶体管的方法，其特征在于：

-在晶体硅的衬底(1)上沉积一层非晶硅层(6)，该衬底具有第一导体型的上部区域(3-4)；

-用掺杂剂在非晶硅层(6)上掺杂，以形成第二导体型；

-用防止非晶硅层(6)晶化的方法，在非晶硅层(6)上沉积至少一层介质层(7)；

-对得到的结构(8)制作布线图案，此后在预定区域内刻蚀掉介质层(7)和非晶硅层(6)，以限定一个发射极开口(9)；

-在得到的结构上生长热氧化物(10)，使非晶硅层(6)转变成多晶硅层(6’)；

-通过穿过热氧化物(10)掺杂，形成与上述多晶硅层(6’)相同导体型的本征基极(12)；

-在得到的该结构上沉积电绝缘材料层(13)，此后并以沿发射极开口(9)的侧壁可保留有上述电绝缘材料的隔离层(13’)的方法，对该结构进行各项异性刻蚀，直到在发射极开口(9)中衬底(1)上保留有一薄氧化物层；

-除去上述薄氧化物层；

-在发射极开口(9)中形成一发射极触点(15)，并对上述发射极触点掺杂以成第一导体型；

-对该结构进行热处理，通过来自发射极触点(15)的掺杂剂的扩散，在衬底中形成发射极-基极接合(16，12’)。

8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于通过PECVD、SACVD、MBE工艺或自旋涂敷工艺沉积介质层(7)。

9、根据权利要求7所述的方法，其特征在于采用PETEOS作介质层(7)。

10、根据权利要求7-9中任一权利要求所述的方法，其特征在于通过沉积一层多晶硅，并在该层中掺杂以成第一导体型，从而形成发射极触点(15)，此后用平板印刷法在掺杂层上制作布线图案，并用等离子体法刻蚀该层。

11、根据权利要求7-9中任一权利要求所述的方法，其特征在于通过BF₃离子注入对非晶硅层(6)进行掺杂。

12、根据权利要求7-9中任一权利要求所述的方法，其特征在于在250-400℃的温度范围内沉积介质层(7)。

13、根据权利要求7-9中任一权利要求所述的方法，其特征在于用电绝缘氮化物材料(13)形成隔离层(13’)，并借助于LPCVD工艺，使上述层的沉积厚度达几百毫微米。