[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明包括AL(10)、薄膜的PLYD(14)、连接AL与PLYD的CNT、在CNT区域的成为防止穿通用的蚀刻阻挡层的PLYD(18)、及连接PLYC与PLYD的THLC。将P型杂质导入PLYD里，并且使CNT区域的PLYC成为非掺杂区域。通过热处理工序，将PLYD的P型杂质再扩散到PLYC。使存储单元区域的PLYC变成了N型。在CNT0区域，将绝缘层(20)形成为凹状，使CNT区域的PLYD高度较低是所希望的。

主权项

1.一种包括多个存储单元的半导体存储装置，包括：第1布线层，上述第1布线层下方设置的薄膜第2布线层，连接上述第1、第2布线层的第1接触孔，设置于上述第2布线层下方、并在上述第1接触孔形成区域、用于防止穿通而成为蚀刻阻挡层的第3布线层，以及设置于上述第1接触孔下方，并连接上述第2布线层与上述第3布线层的第2接触孔；其特征在于，在上述第2布线层中导入第1导电类型杂质，由上述第3布线层形成的上述蚀刻阻挡层，至少在上述第1接触孔形成区域为非掺杂区域。