[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

半导体存储器件包括含有第二导电类型的源区和漏区（１０a，１０b）的第一导电类型的半导体基片（１），和所形成的用来包围源区（１０a）的第二导电类型的轻掺杂区（８）；形成在半导体基片（１）上的浮栅（４）；和形成在浮栅（４）上的控制栅（６），其特征是所形成的第一导电类型的重掺杂区（９）至少包围漏区（１０b），并在浮栅（４）下面和轻掺杂区（８）至少部分重叠。无论隧道栅氧化膜的厚度离散与否，该半导体存储器件皆可防止数据过擦除，从而防止误读并增加工作的可靠性。

主权项

1．一种半导体存储器件，包括：含有第二导电类型的源区和漏区(10a,10b)的第一导电类型的硅基片(1)，和所形成的用来包围所说源区(10a)的第二导电类型的轻掺杂区(8)；形成在所说硅基片(1)上的浮栅(4)；和形成在所说浮栅(4)上的控制栅(6)，其特征是形成的第一导电类型的重掺杂区(9)至少包围所说漏区(10b)，并在所说浮栅(4)下面与所说轻掺杂区(8)至少部分重叠。