[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体存储器件，包括：含有第二导电类型的源区和漏区(10a,10b)的第一导电类型的硅基片(1)，和所形成的用来包围所说源区(10a)的第二导电类型的轻掺杂区(8)；形成在所说硅基片(1)上的浮栅(4)；和形成在所说浮栅(4)上的控制栅(6)，其特征是形成的第一导电类型的重掺杂区(9)至少包围所说漏区(10b)，并在所说浮栅(4)下面与所说轻掺杂区(8)至少部分重叠。

2．如权利要求1的半导体存储器件，其特征为：在所说硅基片(1)的上面整个地形成所说重掺杂区(18)。

3．如权利要求1或2的半导体存储器件，其特征为：所说重掺杂区(9,18)的杂质浓度为5×10¹⁶cm^-3以上。

4．如权利要求1或2的半导体存储器件，其特征为：所说第一导电类型的是p型，所说第二导电类型的是n型。

5．一种制造半导体存储器件的方法，包含下列步骤：

(a)形成隧道栅氧化膜(3)，在所说隧道栅氧化膜(3)上形成浮栅(4)，在所说浮栅(4)上形成氧化膜(5)，在第一导电类型的硅基片(1)的器件形成区中的所说氧化膜(5)上形成控制栅(6)；

(b)将第二导电类型的杂质注入到将成为源区(10a)的区域A中，形成第二导电类型的轻掺杂区(8)，以至少使所说第二导电类型的杂质的一部分扩散到所说隧道栅氧化膜(3)的下面；

(c)将第一导电类型的杂质注入到将成为漏区(10b)的区域B中，形成第一导电类型的重掺杂区(9)，以至少使所说第一导电类型的杂质的一部分扩散到所说隧道栅氧化膜(3)的下面，并与所说轻掺杂区(8)重叠；和

(d)将第二导电类型的杂质重注入到所说区域A和B中，形成第二导电类型的源区和漏区(10a,10b)。

6．如权利要求5的方法，其特征是：所说步骤(b)在步骤(d)之后进行。

7．如权利要求5或6的方法，其特征是：所说第一导电类型的p型，所说第二导电类型的是n型。

8．一种制造半导体存储器件的方法，包含下列步骤：

(a)至少在具有第一导电类型的硅基片的器件形成区形成第一导电类型的重掺杂区(18)；    

(b)形成隧道栅氧化膜(3)，在所说隧道栅氧化膜(3)上形成浮栅(4)，在所说浮栅(4)上形成氧化膜(5)，在第一导电类型的所说硅基片(1)的器件形成区中的所说氧化膜(5)上形成控制栅(6)；

(c)将第二导电类型的杂质注入到将成为源区(10a)的区域A中，形成第二导电类型的轻掺杂区(8)，以至少使所说第二导电类型的杂质的一部分扩散到所说隧道栅氧化膜(3)的下面；

(d)分别将第二导电类型的杂质重注入到所说区域A和将成为漏区(10b)的区域中，形成第二导电类型的源区和漏区(10a,10b)。

9．如权利要求8的方法，其特征是：所说步骤(b)在步骤(d)之后进行。

10．如权利要求8或9的方法，其特征是：所说第一导电类型的是p型，所说第二导电类型的是n型。