[发明专利]具有电容器的半导体存储器件的制造方法

摘要

有电容器的半导体存储器件的制造方法在基片上形成第一绝缘层,盖住转移晶体管;形成柱状层,穿过第一绝缘层,与转移晶体管的漏极和源极区之一电连接;在柱状层和第一绝缘层上,交替形成绝缘材料的第一和导电材料的第二膜层。去除第一和第二膜层在柱状层上的部分。形成第一导电层,电连接到柱状层、第二膜层。构图第二膜层和第一导电层形成存储电容器的存储电极。去除第一膜层。在第一导电层、第二膜层、及柱状层露出面上,形成介电层。在介电层面上,形成第二导电层构成存储电容器的一相对电极。

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中该半体存储器件包括一基片、形成在该基片上的一转移晶体管、以及一存储电容器电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该制造方法包括下列步骤：a、在该基片上形成一第一绝缘层，覆盖住该转移晶体管；b、形成一柱状导电层，穿过至少该第一绝缘层，与该转移晶体管的该漏极和源极区之一电连接；c、在该柱状导电层表面和该第一绝缘层上，形成一第一导电层；d、去除该第一导电层位在该柱状导电层上方的部分；e、形成一第二导电层，电连接到该柱状导电层、以及该第一导电层；f、构图该第一和第二导电层，以形成该存储电容器的一存储电极，该存储电极包括该第一和第二导电层、以及柱状导电层；g、在该第一和第二导电层曝露出的表面上，形成一介电层；以及h、在该介电层的一表面上，形成一第三导电层以构成该存储电容器的一相对电极。