[发明专利]具有电容器的半导体存储器件的制造方法

权利要求书

1、一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中该半体存储器件包括一基片、形成在该基片上的一转移晶体管、以及一存储电容器电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该制造方法包括下列步骤：

a、在该基片上形成一第一绝缘层，覆盖住该转移晶体管；

b、形成一柱状导电层，穿过至少该第一绝缘层，与该转移晶体管的该漏极和源极区之一电连接；

c、在该柱状导电层表面和该第一绝缘层上，形成一第一导电层；

d、去除该第一导电层位在该柱状导电层上方的部分；

e、形成一第二导电层，电连接到该柱状导电层、以及该第一导电层；

f、构图该第一和第二导电层，以形成该存储电容器的一存储电极，该存储电极包括该第一和第二导电层、以及柱状导电层；

g、在该第一和第二导电层曝露出的表面上，形成一介电层；以及

h、在该介电层的一表面上，形成一第三导电层以构成该存储电容器的一相对电极。

2、如权利要求1所述的制造方法，其中在步骤a之后和步骤b之前，还包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤。

3、如权利要求2所述的制造方法，其中该步骤b包括下列步骤：

形成一存储电极接触孔，穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移晶体管的该漏极和源极区之一；

形成一厚多晶硅层；以及

构图该厚多晶硅层，以形成该柱状导电层。

4、如权利要求2所述的制造方法，其中该步骤b包括下列步骤：

形成一存储电极接触孔，穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移晶体管的该漏极和源极区之一；

形成一厚多晶硅层；

在该厚多晶硅层上形成一光刻胶，覆盖住对应该转移晶体管的该漏极和源极区之一的区域；

蚀刻掉未被覆盖住的厚多晶硅层之一部分；

浸蚀该光刻胶，再露出一部分厚多晶硅层；

蚀刻掉残留的多晶硅层及露出的厚多晶硅层之一部分，使形成的该柱状导电层具有一阶梯；以及

去光刻胶。

5、如权利要求2所述的制造方法，其中该步骤b包括下列步骤：

形成一存储电极接触孔，穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移晶体管的该漏极和源极区之一；

形成具有似T形剖面的一第一多晶硅层，其底部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一；

形成具有一孔的一第二绝缘层，经由该孔露出该第一多晶硅层的一部分上表面；以及

形成一柱状多晶硅层，其底部电连接到该第一多晶硅层的上表面，且两者一起构成该柱状导电层。

6、如权利要求2所述的制造方法，其中在步骤b之后和步骤c之前，还包括在该柱状导电层的侧壁上形成一绝缘边墙隔离层的步骤；且其中该步骤c包括在该绝缘边墙隔离层、柱状导电层、和该蚀刻保护层的表面上，形成该第一导电层的步骤。

7、如权利要求1所述的制造方法，其中

在步骤a之后和步骤b之前，还包括下列步骤：

形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上，以及

形成一第二绝缘层在该蚀刻保护层上；

且其中该步骤b包括下列步骤：

形成一存储电极接触孔，穿过该第二绝缘层、蚀刻保护层、和第一绝缘层而通到该转移晶体管的该漏极和源极区之一；

形成一厚多晶硅层；以及

构图该厚多晶硅层，以形成该柱状导电层。

8、如权利要求1所述的制造方法，其中在步骤c之后和步骤d之前，还包括形成一第二绝缘层在该第一导电层之上的步骤；其中该步骤d包括以化学机械式抛光法，抛光该第二绝缘层和第一导电层，使该第一导电层位于该柱状导电层上方的部分被去除掉；且其中在步骤f之后和步骤g之前，还包括去除该第二绝缘层的步骤。

9、如权利要求8所述的制造方法，其中该第二导电层包括一中央部分电连接到该柱状导电层、以及一向外延伸部分从该中央部分往延伸出，且电连接到该第一导电层。

10、如权利要求1所述的制造方法，其中在步骤c之后和步骤d之前，还包括形成一第二绝缘层在该第一导电层之上的步骤；其中该步骤d包括蚀刻该第二绝缘层和第一导电层，使该第二绝缘层和第一导电层位于该柱状导电层上方的部分被去除掉；且其中在步骤f之后和步骤g之前，还包括去除该第二绝缘层的步骤。