[发明专利]半导体器件

摘要

本发明揭示一种半导体器件，包括在半导体基片(21)的绝缘膜(21a)上、使电容绝缘膜(23)的端部位于下电极(22)的端部和上电极(24)的端部之间、形成电容元件(25)，形成覆盖电容元件的保护膜(26)，通过到达在保护膜上形成的下电极上的第一开口(27a)和上电极上的第二开口(27b)、将电极布线(28)分别连接到下电极和上电极上。借助于电容绝缘膜的端部超出上电极的端部，形成不使用由于干式蚀刻而损伤的电容绝缘膜的端部的电容元件。

主权项

1.一种半导体器件，包括：形成集成电路元件的半导体基片、在所述半导体基片上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜上形成的由下电极、强电介质膜或大介电常数电介质膜的电容绝缘膜和上电极构成的电容元件、为了覆盖所述电容元件形成的具有在所述下电极的上方形成的第一开口和在所述上电极的上方形成的第二开口的保护膜和分别通过所述第一开口与所述下电极连接以及通过所述第二开口与所述上电极连接的电极布线，其特征在于，所述下电极的端部和所述电容绝缘膜的端部一同超出在所述上电极的端部的外侧。