[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：形成集成电路元件的半导体基片、在所述半导体基片上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜上形成的由下电极、强电介质膜或大介电常数电介质膜的电容绝缘膜和上电极构成的电容元件、为了覆盖所述电容元件形成的具有在所述下电极的上方形成的第一开口和在所述上电极的上方形成的第二开口的保护膜和分别通过所述第一开口与所述下电极连接以及通过所述第二开口与所述上电极连接的电极布线，其特征在于，所述下电极的端部和所述电容绝缘膜的端部一同超出在所述上电极的端部的外侧。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容绝缘膜的端部在所述下电极的端部和所述上电极的端部之间。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容绝缘膜的端部还位于所述第一开口的外侧、在与所述第一开口重叠的所述电容绝缘膜的区域上形成第三开口。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述电容绝缘膜的端部在与所述下电极的端部相同的位置上。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述电容绝缘膜的端部超出在所述下电极的端部外侧。