[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 96104508.6 | 申请日： | 1996-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1073279C | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李元在;李承锡;金昊起;金钟哲 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/768;C23C14/22;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造具有电容器的高集成的半导体器件方法，该电容器具有由高介电常数薄膜构成的介质膜，该方法包括在高温下在已形成有氧化膜的晶片上形成下电极，及在真空下将所得晶片退火，以使下电极具有致密而平滑，可使后续的工艺步骤容易实施。还可实现这种半导体器件的高集成化以及改善半导体器件的可靠性和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造高集成度半导体器件的方法，包括以下各步骤：使内部放置一其表面形成有氧化硅膜的晶片的反应室保持在高真空状态；通过等离子淀积方法，在350℃到450℃的温度范围内，在反应室内的晶片上形成一导电层作为半导体器件的下电极；以及在2×10-6Torr的压力下，在600℃到700℃的温度范围内，使上述晶片经受退火处理，从而使导电层稳定化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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