[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1．一种制造高集成度半导体器件的方法，包括以下各步骤：

使内部放置一其表面形成有氧化硅膜的晶片的反应室保持在高真空状态；

通过等离子淀积方法，在350℃到450℃的温度范围内，在反应室内的晶片上形成一导电层作为半导体器件的下电极；以及

在2×10^-6Torr的压力下，在600℃到700℃的温度范围内，使上述晶片经受退火处理，从而使导电层稳定化。

2．根据权利要求1的方法，其中的高真空范围在几×10^-5Torr～几×10^-6Torr。

3．根据权利要求1的方法，其中的导电层的厚度为70-90nm。

4．根据权利要求1的方法，其中的形成导电层的步骤是在0.05-0.10A的电流范围内使用270-310V的电压完成的。

5．根据权利要求1所述的方法，其中导电层由铂形成。

6．根据权利要求1所述的方法，其中退火步骤进行30分钟。

7．一种制造高集成度半导体器件的方法，包括以下各步骤：

使内部放置一其表面形成有氧化硅膜的晶片的反应室保持在高真空状态；

通过等离子淀积方法，在350℃到450℃温度范围内，在晶片上形成第一靶材料层；

通过等离子淀积方法在第一靶材料层上形成第二靶材料层，与第一靶材料层一起形成半导体的下电极；以及

在2×10^-6Torr的压力下，在600℃到700℃温度范围内使上述步骤所得的晶片经退火处理来稳定所述第一和第二靶材料层。

8．根据权利要求7的方法，其中的第一靶材料是钽或钛。

9．根据权利要求7的方法，其中的第二靶材料是铂。