[发明专利]一种制造半导体器件的工艺无效
| 申请号： | 96103918.3 | 申请日： | 1996-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1078012C | 公开（公告）日： | 2002-01-16 |
| 发明（设计）人： | 三浦英生;池田修二;铃木范夫;萩原康秀;太田裕之;西村朝雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/324;H01L29/78;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在衬底上形成氧化膜，以800℃或以上的温度在惰性气氛中热处理氧化膜，接下来是形成晶体管的普通步骤，以此方法制作的半导体器件由于在氧化膜内或在衬底表面中产生的应力的减弱而在电学可靠性方而得到改善。$#! | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 半导体器件 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的工艺，包括：第一步骤，在硅衬底上形成防氧化膜，在要形成元件-隔离氧化膜的区域去除防氧化膜，将硅衬底经热氧化形成硅衬底上的元件-隔离氧化膜，第二步骤，去除元件-隔离氧化膜区域之外的区域上形成的防氧化膜，使被去除的区域成裸露态，在800℃至1410℃对硅衬底热处理，第三步骤，在硅衬底上形成MOS晶体管的栅极氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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