[发明专利]一种制造半导体器件的工艺

权利要求书

1.一种制造半导体器件的工艺，包括：

第一步骤，在硅衬底上形成防氧化膜，在要形成元件-隔离氧化膜的区域去除防氧化膜，将硅衬底经热氧化形成硅衬底上的元件-隔离氧化膜，

第二步骤，去除元件-隔离氧化膜区域之外的区域上形成的防氧化膜，使被去除的区域成裸露态，在800℃至1410℃对硅衬底热处理，

第三步骤，在硅衬底上形成MOS晶体管的栅极氧化膜。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的工艺，其特征在于在第二步骤中去除防氧化层之后，暴露硅衬底。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的工艺，其特征在于通过衬垫氧化膜在硅衬底上形成防氧化膜。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的工艺，其特征在于在第二步骤中去除防氧化层之后，暴露衬垫氧化膜。

5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的工艺，其特征在于衬垫氧化膜是硅氧化膜。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的工艺，其特征在于防氧化膜是氮化硅膜。