[发明专利]具有超浅端区的新型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 95197621.4 | 申请日： | 1995-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1175321A | 公开（公告）日： | 1998-03-04 |
| 发明（设计）人： | R·S·曹;C·H·彻恩;C·H·雅;K·R·维尔顿;P·A·佩卡恩;L·D·尧 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/265;H01L21/465;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,傅康 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有超浅端区(214)的新型晶体管(200)及其制造方法。本发明的新型晶体管有一个源/漏扩展或端区(210),该源/漏扩展或端区包括延伸到栅电极和突起的区域(216)下的超浅区(214)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超浅端区 新型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的第一表面上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极；邻接所述栅电极的相对侧形成第一对侧壁间隔层；在所述第一表面下的所述半导体衬底中形成一对凹槽，与所述第一对侧壁间隔层的外边缘对准；及在所述凹槽对中形成第一半导体材料
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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