[发明专利]具有超浅端区的新型晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底的第一表面上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅电极；

邻接所述栅电极的相对侧形成第一对侧壁间隔层；

在所述第一表面下的所述半导体衬底中形成一对凹槽，与所述第一对侧壁间隔层的外边缘对准；及

在所述凹槽对中形成第一半导体材料

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

将掺杂剂从所述第一半导体材料中扩散到所述第一对侧壁间隔层下的所述衬底中。

3.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

在邻近所述第一对侧壁间隔层的外边缘的所述半导体材料上形成第二对侧壁间隔层。

4.如权利要求3所述的方法，还包括以下步骤：

将离子淀积到所述第一半导体材料和所述衬底中，与所述第二对侧壁间隔层的外边缘对准。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子通过离子注入淀积。

6.如权利要求3所述的方法，还包括以下步骤：

在所述半导体材料中形成硅化物，与所述第二对侧壁间隔层的外边缘对准。

7.如权利要求3所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第一半导体材料上形成第二半导体材料，与所述第二对侧壁间隔层的外边缘对准。

8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第二半导体材料上形成硅化物。

9.一种形成晶体管的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅电极；

邻近所述栅电极的相对侧形成第一对侧壁间隔层；

在所述半导体衬底上形成第一掺杂的半导体材料，与所述第一对侧壁间隔层的外边缘对准；

将掺杂剂从所述第一半导体材料中扩散到所述第一对侧壁间隔层下的所述衬底中。

10.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：

邻近第一对侧壁间隔层的外边缘，在第一半导体材料上形成第二对侧壁间隔层。

11.如权利要求10所述的方法，还包括步骤：

将离子注入与所述第二对侧壁间隔层的外边缘对准的所述衬底和所述半导体材料中。

12.如权利要求10所述的方法，还包括步骤：

在所述第一半导体材料上形成硅化物，与所述第二对侧壁间隔层的外边缘对准。

13.如权利要求10所述的方法，还包括步骤：

在所述第一半导体材料上形成第二半导体材料，与所述第二对侧壁间隔层的外边缘对准。

14.如权利要求13所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第二半导体材料上形成硅化物。

15.一种晶体管，包括：

在半导体衬底的第一表面形成的栅介质层；

在所述栅介质层上形成的栅电极；

邻近所述栅电极的相对侧形成的第一对侧壁间隔层；

在所述衬底中形成的第一对源/漏区，该区延伸到所述第一对侧壁间隔层和所述栅电极的相对侧的下面；

第二对源/漏区，与所述第一对侧壁间隔层的外边缘对准形成，其中所述一对第二对源/漏区包括第一淀积的半导体材料，该半导体材料至少部分在所述半导体衬底的所述第一表面之上。

16.如权利要求15所述的晶体管，所述第一淀积的半导体材料延伸在所述半导体衬底的所述第一表面下。

17.如权利要求15所述的晶体管，还包括：

邻接所述第一对侧壁间隔层的外边缘形成第二对侧壁间隔层，所述第二对侧壁间隔层在所述第二对源/漏区上形成。

18.如权利要求15所述的晶体管，还包括：

与所述第二对侧壁间隔层对准形成第三对源/漏接触区，第三对源/漏区比第二对源/漏区厚。

19.如权利要求17所述的晶体管，还包括在所述第三对源/漏接触区  和所述栅电极上形成的硅化物。