[发明专利]带有微波功率放大器的单片集成电路器件无效
| 申请号： | 95116116.4 | 申请日： | 1995-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1064194C | 公开（公告）日： | 2001-04-04 |
| 发明（设计）人： | 中岛秋重;藤冈彻;长谷英一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/195 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种微波多级功率放大器具有输入和输出级匹配电路以及一个或更多的级间匹配电路。放大器和信号输出焊盘以及第一和第二电压源焊盘都制作在同一个半绝缘衬底上。输出级中的第一ＦＥＴ的漏极通过第一配电线连接于第一电压源焊盘并通过第二配电线连接于信号输出焊盘，其中的第一和第二配电线参与形成输出级的匹配电路。输出级前级中的第二ＦＥＴ的漏极通过用作连接导体的第三配电线连接到第二电压源焊盘。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 带有 微波 功率放大器 单片 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成电路器件，包括第一和第二场效应晶体管(FET)；第一和第二配电线；第一和第二电压源焊盘；和第一和第二匹配电路，其特征在于，所述单片集成电路器件还包括一个半绝缘衬底、一个制作在上述衬底上的微波多级功率放大器以及一个信号输出焊盘，所述第一与第二电压源焊盘形成在上述衬底上，上述的多级放大器包括一个带有所述第一场效应晶体管并用来传送上述放大器的输出的第一级、一个带有所述第二场效应晶体管并处于上述第一级之前的第二级，所述第一匹配电路包括在所述多级放大器中并与所述第一场效应晶体管相连，所述第二匹配电路包括在所述多级放大器中并连接在所述第一和第二级之间，上述第一级中的上述第一场效应晶体管的漏极通过所述第一配电线连接于上述第一电压源焊盘并通过所述第二配电线进一步连接于上述信号输出焊盘，上述第一和第二配电线参与形成上述第一匹配电路；上述第二级中的上述第二场效应晶体管的漏极连接于上述第二电压源焊盘；以及上述第一配电线的长度使从上述第一场效应晶体管的上述漏极向上述第一电压源焊盘看去的阻抗在上述放大器的运行频率下限制为一定的数值而不是无穷大。
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