[发明专利]带有微波功率放大器的单片集成电路器件

权利要求书

1.一种单片集成电路器件，包括第一和第二场效应晶体管(FET)；第一和第二配电线；第一和第二电压源焊盘；和第一和第二匹配电路，其特征在于，

所述单片集成电路器件还包括一个半绝缘衬底、一个制作在上述衬底上的微波多级功率放大器以及一个信号输出焊盘，所述第一与第二电压源焊盘形成在上述衬底上，上述的多级放大器包括一个带有所述第一场效应晶体管并用来传送上述放大器的输出的第一级、一个带有所述第二场效应晶体管并处于上述第一级之前的第二级，所述第一匹配电路包括在所述多级放大器中并与所述第一场效应晶体管相连，所述第二匹配电路包括在所述多级放大器中并连接在所述第一和第二级之间，

上述第一级中的上述第一场效应晶体管的漏极通过所述第一配电线连接于上述第一电压源焊盘并通过所述第二配电线进一步连接于上述信号输出焊盘，上述第一和第二配电线参与形成上述第一匹配电路；

上述第二级中的上述第二场效应晶体管的漏极连接于上述第二电压源焊盘；以及

上述第一配电线的长度使从上述第一场效应晶体管的上述漏极向上述第一电压源焊盘看去的阻抗在上述放大器的运行频率下限制为一定的数值而不是无穷大。

2.根据权利要求1的单片集成电路器件，其中所述第二极中的所述第二FET的漏极通过一个螺旋电感器和一个同所述螺旋电感器串联的第三配电线连接于所述第二电压源焊盘，上述螺旋电感器参与形成上述第二匹配电路而上述第三配电线用作连接导体而不参与形成上述第二匹配电路。

3.根据权利要求2的单片集成电路器件，其中所述的第二配电线的宽度大于上述第三配电线的宽度并小于上述第一配电线的宽度。

4.根据权利要求1的单片集成电路器件，其中所述的半绝缘衬底由GaAs制成。

5.根据权利要求2的单片集成电路器件，其中上述第一、第二和第三配电线的每一个都是多层结构，带有形成在上述衬底上的钼膜和形成在上述钼膜上的金膜。

6.根据权利要求1的单片集成电路器件，其中所述的第一配电线在上述衬底上是弯弯曲曲的。