[发明专利]钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法

摘要

电容器用ＳｒＴｉＯ3基晶界层电容器材料,以前大多用二次高温烧成工艺,烧结温度高,配料方式不尽合理,且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶［SrTiO(C2O4).nH2O］分解获得的纯SrTiO3为原料,加入Li2CO3等为助烧结剂,(Li1/4Nb3/4)O3为施主掺杂剂及以Bi2O3和SiO2为晶界绝缘剂，因此可在较低温度１０００℃～１２００℃，流动气体中进行半导体化烧结，然后降到６５０℃～９００℃，在空气中进行晶界绝缘化，制成电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料。该方法工艺简单，降低了烧结温度，变二次烧结为一次烧结，且制品性能易于控制、均匀性好。

主权项

1.电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①选用草酸氧钛锶[SrTiO(C2O4).nH2O]为原料，在900℃～1000℃温度范围内进行热分解，获得用于制造SrTiO3基晶界层电容器的SrTiO3粉料；②在上述粉料中加入Li2CO3、LiF或LiNO3三种中的一种作为助烧结剂，并且加入Sr(Li1/4Nb3/4)O3作为施主掺杂剂，加入Bi2O3-SiO2或CuO-SiO2两种复合组份系统中的一种作为晶界绝缘剂，其配方范围为：对100mol的SrTiO3加入0.5～1.30mol的Sr(Li1/4Nb3/4)O3；1.0～3.0mol的Li2CO3或LiF或LiNO3三种中的一种，再加入1.0～0.005mol的TiO2，0.005～1.5mol的SrCO3以调节Ti/Srmol比，Ti/Srmol比为1.003～0.98，加入1.0～1.8mol的Bi2O3或CuO两种中的一种，以及0.05～0.15mol的SiO2作为绝缘剂，然后将配制好的料按常规陶瓷工艺干压成园片素坯；③烧成：在1000℃～1200℃，N2+H2流动气体中进行半导体化烧结，然后降温到650℃～900℃在空气中进行晶界绝缘化，制成电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料。