[发明专利]钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法

权利要求书

1.电容器用SrTiO₃基晶界层电容器材料的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

①选用草酸氧钛锶[SrTiO(C₂O₄).nH₂O]为原料，在900℃～1000℃温度范围内进行热分解，获得用于制造SrTiO₃基晶界层电容器的SrTiO₃粉料；

②在上述粉料中加入Li₂CO₃、LiF或LiNO₃三种中的一种作为助烧结剂，并且加入Sr(Li_1/4Nb_3/4)O₃作为施主掺杂剂，加入Bi₂O₃-SiO₂或CuO-SiO₂两种复合组份系统中的一种作为晶界绝缘剂，其配方范围为：对100mol的SrTiO₃加入0.5～1.30mol的Sr(Li_1/4Nb_3/4)O₃；1.0～3.0mol的Li₂CO₃或LiF或LiNO₃三种中的一种，再加入1.0～0.005mol的TiO₂，0.005～1.5mol的SrCO₃以调节Ti/Srmol比，Ti/Srmol比为1.003～0.98，加入1.0～1.8mol的Bi₂O₃或CuO两种中的一种，以及0.05～0.15mol的SiO₂作为绝缘剂，然后将配制好的料按常规陶瓷工艺干压成园片素坯；

③烧成：在1000℃～1200℃，N₂+H₂流动气体中进行半导体化烧结，然后降温到650℃～900℃在空气中进行晶界绝缘化，制成电容器用SrTiO₃基晶界层电容器材料。