[发明专利]在集成电路中形成隔离的方法和结构在审
| 申请号： | 93118940.3 | 申请日： | 1993-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1087751A | 公开（公告）日： | 1994-06-08 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·R·菲斯特;普拉斯汉特·肯克阿伦;肯特·J·库珀;比切-彦-古彦 | 申请（专利权）人： | 莫托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在集成电路中形成电隔离的方法和结构。利用氮化硅场氧化掩模(18)之下的热生长二氧化硅和化学汽相淀积的二氧化硅叠层(14)实现无缺陷的场氧化隔离。该二氧化硅的叠层(14)形成在硅衬底(12)上，然后再在其上淀积一层氮化硅。继而将氮化硅光刻成型，以形成在硅衬底(12)上限定隔离区(22)的场氧化掩模(18)。在硅衬底(12)的隔离区(22)上生长场氧化物(34)，接着除去场氧化掩模(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 隔离 方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种在集成电路中形成隔离结构(34)的方法，其特征在于下列步骤：提供一具有一主表面的半导体衬底(12)；形成覆盖在半导体衬底(12)主表面上的热生长和淀积的二氧化硅的叠层(14)；形成覆盖在叠层(14)上的氧化掩模层(16)；对氧化掩模层(16)进行光刻成形，留下氧化掩模层(16)的保留部分(18)覆盖在半导体衬底(12)上，限定出半导体衬底(12)的隔离区(22)；在半导体衬底(12)的隔离区(22)形成电隔离结构(34)；除去氧化掩模层(16)的保留部分(18)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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