[发明专利]在集成电路中形成隔离的方法和结构

权利要求书

1、一种在集成电路中形成隔离结构(34)的方法，其特征在于下列步骤：

提供一具有一主表面的半导体衬底(12)；

形成覆盖在半导体衬底(12)主表面上的热生长和淀积的二氧化硅的叠层(14)；

形成覆盖在叠层(14)上的氧化掩模层(16)；

对氧化掩模层(16)进行光刻成形，留下氧化掩模层(16)的保留部分(18)覆盖在半导体衬底(12)上，限定出半导体衬底(12)的隔离区(22)；

在半导体衬底(12)的隔离区(22)形成电隔离结构(34)；

除去氧化掩模层(16)的保留部分(18)。

2、如权利要求1的方法，其中，形成氧化掩模层（16）的步骤的特征是淀积一层氮化硅层。

3、如权利要求2的方法，其特征在于：

在淀积氮化硅层之前先在叠层（14）上淀积一层多晶硅层。

4、如权利要求1的方法，其特征在于还包括下列步骤：

在氧化掩模层（16）的保留部分（18）的边缘部位之下形成凹槽（24）;以及

在氧化掩模层（16）的保留部分（18）和隔离区（22）之上形成氮化硅层，该氮化硅层填满凹槽。

5、如权利要求的方法，其中，形成电隔离结构（34）的步骤的进一步特征是氧化隔离区（22）之下的半导体衬底（12）的一部分。

6、如权利要求1的方法，其中，除去氧化掩模层（16）的保留部分（18）的步骤的进一步特征是用干法腐蚀除去保留部分（18）。

7、如权利要求1的方法，其中，除去氧化掩膜层（16）的保留部分（18）的步骤的进一步特征是用湿法腐蚀除去保留部分（18）。

8、一种在集成电路中形成电隔离结构（34）的方法，其特征在于下列步骤：

提供具有一主表面的半导体衬底（12）;

在半导体衬底（12）的主表面上生长第一层热生长二氧化硅;

在第一层热生长二氧化硅上淀积第二层二氧化硅;

在第二层二氧化硅上形成氮化硅层（16）;

使氮化硅层（16）光刻成形以限定出半导体衬底（12）上的隔离区（22），并留下氮化硅层（16）的保留部分（18）覆盖在半导体衬底（12）上;

氧化隔离区（22）之下的那部分半导体衬底（12），以形成场氧化区;以及

除去氮化硅层（16）的保留部分（18）。

9、如权利要求8的方法，进一步包括下列步骤：

在淀积氮化硅层（16）之前，在第二层二氧化硅上形成一多晶硅层。

10、如权利要求8的方法，其中，除去氮化硅层（16）的保留部分（18）的步骤是用干法腐蚀进行的。