[发明专利]离子注入局部补偿集电区的方法无效
| 申请号： | 93102116.2 | 申请日： | 1993-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1028192C | 公开（公告）日： | 1995-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张利春;钱钢;何美华;王阳元;赵渭江 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/328;H01L21/82;H01L27/02;H01L29/70 |
| 代理公司： | 北京大学专利事务所 | 代理人： | 张平 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 局部 补偿 集电区 方法 | ||
【主权项】：
1、一种离子注入局部补偿集电区的方法，其特征是：(1)在双极晶体管外基区下沉积一低温氧化层，再反应溅射生成一钨或钨/钛复合薄膜，制成可进行外基区下对应外延层离子注入的掩模；(2)采用不同能量、不同剂量的离子多次注入到外基区下对应的外延层区域，注入杂质经叠加后呈均匀的平台分布，使该区域外延层中净掺杂浓度降低；(3)进行热退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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