[发明专利]离子注入局部补偿集电区的方法

权利要求书

1、一种离子注入局部补偿集电区的方法，其特征是：

(1)在双极晶体管外基区下沉积一低温氧化层，再反应溅射生成一钨或钨/钛复合薄膜，制成可进行外基区下对应外延层离子注入的掩模；

(2)采用不同能量、不同剂量的离子多次注入到外基区下对应的外延层区域，注入杂质经叠加后呈均匀的平台分布，使该区域外延层中净掺杂浓度降低；

(3)进行热退火。

2、根据权利要求1所述的离子注入局部补偿集电区的方法，其特征是低温氧化层厚600nm，钨或钨/钛复合薄膜的厚度为1.5μm。

3、根据权利要求1或2所述的离子注入局部补偿集电区的方法，其特征是选用硼离子分四次注入到外延层区域，四次注入的硼离子的能量分别为1.8MeV，1.4MeV，1.1MeV和0.82MeV，剂量分别为1.3×10¹¹cm^-2，8.2×10¹¹cm^-2，3.4×10¹¹cm^-2和9.6×10¹¹cm^-2。

4、根据权利要求3所述的离子注入局部补偿集电区的方法，其特征是在1000℃下退火15分钟。

5、根据权利要求1所述的离子注入局部补偿集电区的方法，对于npn晶体管，用硼离子注入局部补偿集电区;对于pnp晶体管，可用磷或砷离子注入局部补偿集电区。