[其他]正交的磁性存贮介质无效

专利信息
申请号: 87101975 申请日: 1987-03-18
公开(公告)号: CN87101975A 公开(公告)日: 1987-10-21
发明(设计)人: 那须昌吾;斋木幸治 申请(专利权)人: 钟渊化学工业株式会社
主分类号: G11B5/85 分类号: G11B5/85
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 罗英铭,陈季壮
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 基片和在其上形成正交磁性各向导性膜的正交磁性存贮介质,其特征在于该膜是金属次氧化物膜,其成分可用通式[(Fe1-XCox]1-yMy]1_zOz[其中,0.01≤x≤0.75,0y≤0.30,0.05≤z≤0.50。M是除Fe、Co之外的至少一种金属]表示;该膜有与膜平面垂直的易磁化轴;可观察到由氧化的Fe产生的X射线衍射峰和由金属态Fe、Co以及M产生的X射线衍射峰。本正交磁性存贮介质可在低的基片温度下,容易、经济地生产,且具有耐磨损性,记录复制灵敏度和记录密度高。
搜索关键词: 正交 磁性 存贮 介质
【主权项】:
1、包括基片和在基片上形成的正交磁性各向异性膜的正交磁性存贮介质。其特征在于,正交磁性各向异性膜是一种金属次氧化物膜。该氧化物具有的成分可用通用式[(Fe1-xCOx)1-yMy]1zOz(其中,0.01≤x≤0.75,0≤y≤0.30,0.05≤z≤0.50。M是除Fe、Co之外的至少一种金属)表示;该膜有与膜平面垂直的易磁化轴;在X射线衍射谱上可以观察到由氧化的Fe产生的X射线衍射峰和由金属态Fe、Co以及金属M产生的X射线衍射峰。
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