[其他]正交的磁性存贮介质

说明书

本发明涉及的是正交的磁性存贮介质，特别是以磁卡、磁带、磁盘或类似形式使用的正交磁性存贮介质，其中，该介质形成了正交的磁性各向异性膜、膜由（1）含铁、钴金属的次氧化物和（2）含铁、钴和至少一种非铁、钴金属的次氧化物组成，该介质适于高密度的记录。

到目前为止，正交的磁性存贮介质有效地用于高密度磁性存贮。用于这种目的的磁性存贮介质采用了磁性薄膜形式，这种薄膜具有与膜平面相互垂直的易磁化轴。作为上述应用的磁性膜，已经采用或研究出用溅射法或真空沉积法生产的Co-Cr（Co-Cr合金），Fe₃O₄或Os-αFe₂O₃薄膜，和用涂层法或溅射法以及类似的方法生产的钡-铁氧体薄膜。

另外，为了提高磁性膜记录、复制灵敏度，业已提出过在正交的磁性存贮介质中应用双夹层膜的结构，使柔性磁层装在基片和正交的磁性各向异性膜之间。上述建议可见于日本专利审查公告号NO.91/1983。的确，带有采用了Co-Cr的正交磁性各向异性膜的双层膜结构的正交磁性存贮介质，其记录复制灵敏度比采用同种单层膜结构要高出十倍。

然而，上述传统的正交磁性存贮介质具有下述缺点。

在上述传统介质中采用的Co-Cr合金磁性薄膜需要具有接近于单晶体的结构，因此，在沉积时基片（在基片上要形成磁性薄膜）需要加热到高于100℃或者常常要高于200℃。这样就需要采用耐热基片，因此提高了生产成本。另外，金属膜有易于磨损的固有缺点。

象Fe₃O₄和Os-αFe₂O₃这样的金属氧化物磁性薄膜，很硬，且有较高的抗磨性。但是对于采用Fe₃O₄或Os-αFe₂O₃的基片，在沉淀时也需要加热到高于250℃，因此，如同上述Co-Cr合金膜一样，生产成本也提高了。另外，象Os-αFe₂O₃或类似的金属氧化物作为磁性薄膜使用时，有时需要还原过程。还有，采用这种金属氧化物磁性薄膜的正交磁性存贮介质有一个缺点，即，饱和磁化强度（Ms）很低，因而不能获得具有高的记录、复制灵敏度的介质。

对于正交磁性存贮介质，用涂层法得到的钡-铁氧体薄膜，在形成膜片时，需要使铁氧体具有直径约为0.1μm的均匀粒度粉末，因此，提高了生产成本。另外，形成膜片时需要加入粘合剂，使得钡-铁氧体在膜中的含量降低，这就使得磁性薄膜的饱和磁化强度（Ms）降低，因而使得磁性存贮介质的性能降低。

用溅射法得到的钡-铁氧体薄膜比用涂层法的有较高的饱和磁化强度，但基片必须加热到约500℃。因此，基片必须有较高的耐热性，这样就不允许采用便宜的塑料基片。

具有双层膜片结构的正交磁性存贮介质，其中柔性磁膜位于基片和正交磁性各向异性膜之间，以便在将信息记录到磁性薄膜中和从膜中复制出时改善记录、复制的灵敏度，这种介质也有缺点，这是因为作为结晶，各自的独特性质使得两种膜的特性常常互相受限制。例如，在Co-Cr合金的正交磁性各向异性膜中，结晶轴hcp（001）需要垂直于膜表面取向，为此目的，柔性磁膜在材料的种类，结晶体的构造，晶格的常数以及取向的程度都需要有严格的规定。

作为一个克服上述缺点的有效方法，是推出了Co次氧化物的正交磁性各向异性膜片。这种膜片可以在低的基片温度下形成，因此允许采用低耐热性和便宜的基片。这种正交磁性各向异性膜具有高的正交磁性各向异性，因此可以得到高饱和磁化强度的正交磁性各向异性膜。但是还存在问题，即Co低价氧化物的正交磁性各向异性膜的记录，复制的灵敏度低。

后来，我们发明了Fe低价氧化物的正交磁性各向异性膜。这种膜也可以在低基片温度下形成。但是，铁低价氧化物膜或者没有足够的磁正交各向异性，或者没有足够的饱和磁化强度（Ms）。

进而，又提出了Co-Fe或Co-Fe-Ni低价氧化物的正交磁性各向异性膜。这种膜可以在低基片温度上生成，但其记录、复制灵敏度不高。

业已注意到，上述低价氧化物的正交磁性各向异性膜具有很高的柔度（由于其中含有金属）和很高的耐磨性。