[发明专利]半导体集成电路器件及其制造工艺无效
| 申请号： | 85108671.3 | 申请日： | 1985-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1004777B | 公开（公告）日： | 1989-07-12 |
| 发明（设计）人： | 池田修二;小池淳义;目黑怜;奥山辛祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/72 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 张卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一个具有第一和第二导电类型的两种MISFET的半导体集成电路器件，上述第二导电类的一个MISFET为增强型，它包括：(a)一个在半导体衬底上形成的具有第一导电类型的第一半导体区域；(b)一个在上述第一半导体区域上形成的栅极，同时在两者之间夹有一栅绝缘膜；(c)在上述栅极两侧形成并与其分离的第二导电类型的第二半导体区域，该第二半导体区域为源区和漏区；和(d)一个在上述第一半导体区域中上述栅极之下形成、分别与上述第二半导体区连为一体的第二导电类型的第三半导体区域。2.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述第二导电
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
