[发明专利]三羟甲基甲胺(TAM)晶体与生长方法及在X射线光谱仪中的应用无效
| 申请号： | 85107621.1 | 申请日： | 1985-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1003946B | 公开（公告）日： | 1989-04-19 |
| 发明（设计）人： | 苏根博;李征东;黄躬泛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/04 |
| 代理公司： | 中国科学院福建物质结构研究所专利代理处 | 代理人： | 何小星 |
| 地址： | 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种适合于X射线光谱分析用的晶体材料及其生长方法，该晶体用水溶液降湿法生长，所用溶剂为水，籽晶的形状为长条状，生长温度区间为60℃-室温，该晶体可用沾水的纱线切割，用刀片解理出所需尺寸的晶片，制成平晶或弯晶X射线单色器，该晶体的(020)面，2d值为8.78是强的衍射面，具有优于PET晶体(002)面的衍射性能，分析灵敏度高，且晶体长速快，生长周期短，成品率高，机械性能好，能代替PET用于X射线光谱分析仪上作单色器。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 tam 晶体 生长 方法 射线 光谱仪 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种水溶液生长三羟甲基甲胺晶体的方法，生长过程按一定程序配料，下籽晶、降温生长、本发明的特征在于：(1)晶体生长所用熔剂为水；(2)按TAM的溶解度——温度表示式St＝11.0+2.18t配制饱和溶液；生长温度区间为60℃-40℃至室温，(3)籽晶采用外形完整的小晶体或从晶体中切割出长1-2cm的条状籽昌；(4)晶体生长过程中，晶体转速为30转/分；
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