[发明专利]三羟甲基甲胺(TAM)晶体与生长方法及在X射线光谱仪中的应用无效
| 申请号： | 85107621.1 | 申请日： | 1985-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1003946B | 公开（公告）日： | 1989-04-19 |
| 发明（设计）人： | 苏根博;李征东;黄躬泛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/04 |
| 代理公司： | 中国科学院福建物质结构研究所专利代理处 | 代理人： | 何小星 |
| 地址： | 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 甲基 tam 晶体 生长 方法 射线 光谱仪 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1、一种水溶液生长三羟甲基甲胺晶体的方法，生长过程按一定程序配料、下籽晶、降温生长、本发明的特征在于：
（1）晶体生长所用熔剂为水;
（2）按TAM的溶解度-温度表示式St＝11.0+2.18t配制饱和溶液;生长温度区间为60℃-40℃至室温，
（3）籽晶采用外形完整的小晶体或从晶体中切割出长1-2cm的条状籽晶;
（4）晶体生长过程中，晶体转速为30转/分;
2、据权利要求1所说的晶体生长方法，其特征在于所用的水是一次蒸馏水。
3、据权利要求1的方法，其特征在于所用的水是二次蒸馏水。
4、据权利要求1，2所说的晶体生长方法，其特征在于配制饱和溶液所用的TAM试剂是化学纯级。
5、据权利要求1～3的方法，其特征在于配制饱和溶液所用的TAM试剂是分析纯级。
6、据权利要求1～3的方法，其特征在于配制饱和溶液所用的TAM试剂是光谱纯级。
7、据权利要求3所说的晶体生长方法，其特征在于籽晶较佳取向为平行X轴方向。
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