[发明专利]三羟甲基甲胺(TAM)晶体与生长方法及在X射线光谱仪中的应用无效
| 申请号: | 85107621.1 | 申请日: | 1985-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN1003946B | 公开(公告)日: | 1989-04-19 |
| 发明(设计)人: | 苏根博;李征东;黄躬泛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号: | C30B29/54 | 分类号: | C30B29/54;C30B7/04 |
| 代理公司: | 中国科学院福建物质结构研究所专利代理处 | 代理人: | 何小星 |
| 地址: | 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 甲基 tam 晶体 生长 方法 射线 光谱仪 中的 应用 | ||
本发明关于晶体的溶液降温生长方法。
分光晶体是X射线光谱仪的心脏元件,它广泛用于电子探针光谱仪和X射线荧光谱仪,也用于太阳表面X射线光谱分布以及激光核聚变等离子体电子温度的测量和固体的电子能带结构的分析等。
1969年EugeneP·Bertin报导用于X射线光谱仪的分光晶体有70多种,而常用的分光晶体只有LIF(氟化锂)、石英、EDdT(酒石酸乙二胺)、PET(季戊四醇)、KAP(邻苯二甲酸氢钾)、LSD(硬脂酸铅)等、EDdT(020)的2d=8.80、常用于Si、P、S、Cl、Ti、Cr、Mn、Fe、等元素的Ka特征X射线分析,寻找和试制新的晶体是提高X射线光谱分析灵敏度、精确度和分辨率的重要途径之一。
林景臻等人1982年在《人工晶体》2-3期,P73-74页中报道了《已二酸十八酯(0A0)单晶的生长》一文,指出0A0单晶的生长溶剂为二甲苯,生长温度在20-30℃之间,槽温稳定度<±0.01℃,降温速度为0.01℃/天,在2000ml的育晶器中,一周时间生长出20×10×0.2mm3的0A0单晶。
此外,“晶体生长”1981.12总第4期P1-7发表了《氘化硫酸三甘氨酸(DTGS)单晶的生长》一文,介绍了DTGS晶体的生长条件,该晶体用含氘量为99.85%的重水为溶剂,溶液pH=2.2,饱和点45℃,溶液体积5000ml,b方向生长速度1.3mm/天。
F、L、Chan1968年(“Analyticalchemistry”Vol、40、No.5346-369)报导了实验室生长季戊四醇PET晶体的消息,其衍射效率为EDdT的2.5倍,为云母的9倍(对SiKa)。PET(002)2d=8.75、PET晶体是用水溶液降温法静止生长的。生长温区在87-92℃或80-85℃,300ml的育晶槽上装有冷凝管,槽温波动为±0.05℃,见《PocTKPNCT》ToMⅢ,1961,P283。(俄文)我们从1969年开始研制PET晶体,1978年报导了PET晶体的生长。
PET是目前常用的中长波段分光晶体,其主要缺点是高阶衍射抑制性差,晶体热膨胀系数大,晶体比较脆,在制作弯晶器件和经受大的温差时容易断裂。特别是大尺寸晶体的生长难度较大,生长速度慢,周期长,成品率低。
本发明在于探索和研制出一种新的X射线分光晶体,使其生长比PET容易,而性能又优于PET,能取代PET在X射线光谱分析中得到更好的使用效果,这种晶体即为三羟甲基甲胺。
三羟甲基甲胺化学式(CH2OH)3CNH2、简称TAM。1955年Rose、H,1982年EnginKendi分别报导从20%的水与异丙醇和甲醇中得到供晶体结构分析用的小晶体,未见有TAM大单晶生长和用于X射线分光晶体的文献和专利。我们用四圆衍射仪测定了TAM晶体的完整结构:属正交晶系,a=7.786(2),b=8.785(1),c=8.835(1),空间群P21Cn(C2v9),晶胞分子数Z=4,R=0.049,Rw=0.057,Dv=1.331gcm3,M=121.14,mp=168~172℃。
TAM晶体采用水溶液降温法生长。我们测定了TAM的溶解度-温度曲线,溶解度的表示式为St=11.0+2.18t。用水为溶剂,可以是一次蒸馏水,但最好用二次蒸馏水,根据其溶解度表示式称取一定量的CP级或AR级,最好为GR级的TAM试剂配制40~60℃的饱和溶液。该饱和溶液呈碱性。选取外形完整的小晶体做籽晶,用挚晶杆将籽晶引入,用可逆马达带动挚晶杆转动,转速30转/分。控制适当的降温速率,为一般公知技术,其降温量随晶体生长体积的增大而增大,避免生长过程中的温度波动,可得到透明完整的大尺寸单晶,晶体的生长温度区间60℃-室温。
将所述的TAM晶体按使用尺寸要求,用带水的纱线切割,在绸布上磨平,用薄刀片沿(020)解理成所需厚度的晶片,装在仪器的晶架上就制成了晶体单色器。
我们用双晶衍射仪测试了TAM晶体(020)和PET晶体(002)的本征参数。P(衍射峰值系数)、R(积分反射系数)、W(峰值半宽度)的数值见下表。
衍射峰值系数反射积分系数半峰宽
(P%)(R弧度)(W秒)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所,未经中国科学院福建物质结构研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/85107621.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:渗硼用胶膜
- 下一篇:多源型平面磁控溅射源





