[实用新型]一种高纯度晶体生长炉有效

专利信息
申请号: 202320744524.6 申请日: 2023-04-07
公开(公告)号: CN219508064U 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 申请(专利权)人: 徐州宏晶新材料科技有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 宁波海曙甬睿专利代理事务所(普通合伙) 33330 代理人: 隋祥雷
地址: 221000 江苏省徐州市高新技术产业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了晶体生长炉技术领域的一种高纯度晶体生长炉,包括:保温壳总成,所述保温壳总成包括保温壳;底盖总成,所述底盖总成包括设置在所述保温壳底部开口处的底盖以及同轴心设置在所述底盖顶部并设置在所述保温壳内腔的坩埚;顶盖总成,所述顶盖总成包括设置在所述保温壳顶部开口处的顶盖以及设置在所述顶盖顶部边缘处并贯穿所述顶盖底部且插接在所述坩埚内腔的抽吸管道,所述保温壳总成还包括设置在所述保温壳内腔侧壁顶部的高频感应加热以及相对称设置在所述保温壳圆周外侧壁底部的安装板,该种高纯度晶体生长炉,通过抽吸管道对坩埚内晶体杂质进行抽取,提高接近的纯度,避免单晶开裂,保障单晶的生长。
搜索关键词: 一种 纯度 晶体生长
【主权项】:
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