[实用新型]一种高纯度晶体生长炉有效
| 申请号： | 202320744524.6 | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN219508064U | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 | 申请（专利权）人： | 徐州宏晶新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 宁波海曙甬睿专利代理事务所(普通合伙) 33330 | 代理人： | 隋祥雷 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市高新技术产业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 晶体生长 | ||
1.一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：包括：
保温壳总成(100)，所述保温壳总成(100)包括保温壳(110)；
底盖总成(200)，所述底盖总成(200)包括设置在所述保温壳(110)底部开口处的底盖(210)以及同轴心设置在所述底盖(210)顶部并设置在所述保温壳(110)内腔的坩埚(220)；
顶盖总成(300)，所述顶盖总成(300)包括设置在所述保温壳(110)顶部开口处的顶盖(310)以及设置在所述顶盖(310)顶部边缘处并贯穿所述顶盖(310)底部且插接在所述坩埚(220)内腔的抽吸管道(320)。
2.根据权利要求1所述的一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：所述保温壳总成(100)还包括设置在所述保温壳(110)内腔侧壁顶部的高频感应加热(120)以及相对称设置在所述保温壳(110)圆周外侧壁底部的安装板(130)。
3.根据权利要求2所述的一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：所述底盖总成(200)还包括同轴心设置在所述底盖(210)顶部并与所述坩埚(220)底部相连接的坩埚安装座(230)以及相对称设置在所述底盖(210)圆周外侧壁上的连接板总成(240)。
4.根据权利要求3所述的一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：所述连接板总成(240)包括相对称设置在所述底盖(210)圆周外侧壁并与所述安装板(130)相对应的连接板(241)以及开设在所述连接板(241)顶部并贯穿所述连接板(241)底部的螺纹孔(242)。
5.根据权利要求4所述的一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：所述顶盖(310)顶部中心位置设置进料口(330)，所述进料口(330)贯穿所述顶盖(310)底部并插接在所述坩埚(220)内侧。
6.根据权利要求5所述的一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：还包括文丘里管(400)，所述文丘里管(400)安装在所述抽吸管道(320)排液口上。
7.根据权利要求6所述的一种高纯度晶体生长炉，其特征在于：还包括驱动机构(500)，所述驱动机构(500)包括安装在所述安装板(130)顶部的电机(510)以及设置在所述电机(510)输出轴上并通过轴承设置在所述安装板(130)底部且与所述螺纹孔(242)相连接的丝杠(520)。
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