[实用新型]一种高纯度晶体生长炉

说明书

本实用新型公开了晶体生长炉技术领域的一种高纯度晶体生长炉，包括：保温壳总成，所述保温壳总成包括保温壳；底盖总成，所述底盖总成包括设置在所述保温壳底部开口处的底盖以及同轴心设置在所述底盖顶部并设置在所述保温壳内腔的坩埚；顶盖总成，所述顶盖总成包括设置在所述保温壳顶部开口处的顶盖以及设置在所述顶盖顶部边缘处并贯穿所述顶盖底部且插接在所述坩埚内腔的抽吸管道，所述保温壳总成还包括设置在所述保温壳内腔侧壁顶部的高频感应加热以及相对称设置在所述保温壳圆周外侧壁底部的安装板，该种高纯度晶体生长炉，通过抽吸管道对坩埚内晶体杂质进行抽取，提高接近的纯度，避免单晶开裂，保障单晶的生长。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长炉技术领域，具体为一种高纯度晶体生长炉。

背景技术

坩埚下降法亦即是布里奇曼法，属于熔体生长法的一种，可用于生长化学计量比铌酸锂单晶，其特点是：籽晶在坩埚的底部，籽晶上部是多晶原粮，并填满坩埚，装好原料的坩埚放置于炉膛内，当坩埚不断缓慢下降，熔体进入结晶区后，在籽晶的成核作用下，定向结晶成单晶，整个熔体全部通过结晶区，单晶生长完成，并随炉降温至定温，剥开坩埚即可得到单晶毛坯。

常规下降法生长同成份单晶(熔体组份与单晶组份一致)时，可以得到完全透明的整根晶体棒，但在实际中，当生长非同成份单晶时，单晶的上半部分，析晶越来越严重，而出现杂晶，不越明，并经常导致整根单晶开裂，单晶生长失败。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高纯度晶体生长炉，以解决上述背景技术中提出的当生长非同成份单晶时，单晶的上半部分，析晶越来越严重，而出现杂晶，不越明，并经常导致整根单晶开裂，单晶生长失败的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高纯度晶体生长炉，包括：

保温壳总成，所述保温壳总成包括保温壳；

底盖总成，所述底盖总成包括设置在所述保温壳底部开口处的底盖以及同轴心设置在所述底盖顶部并设置在所述保温壳内腔的坩埚；

顶盖总成，所述顶盖总成包括设置在所述保温壳顶部开口处的顶盖以及设置在所述顶盖顶部边缘处并贯穿所述顶盖底部且插接在所述坩埚内腔的抽吸管道。

优选的，所述保温壳总成还包括设置在所述保温壳内腔侧壁顶部的高频感应加热以及相对称设置在所述保温壳圆周外侧壁底部的安装板。

优选的，所述底盖总成还包括同轴心设置在所述底盖顶部并与所述坩埚底部相连接的坩埚安装座以及相对称设置在所述底盖圆周外侧壁上的连接板总成。

优选的，所述连接板总成包括相对称设置在所述底盖圆周外侧壁并与所述安装板相对应的连接板以及开设在所述连接板顶部并贯穿所述连接板底部的螺纹孔。

优选的，所述顶盖顶部中心位置设置进料口，所述进料口贯穿所述顶盖底部并插接在所述坩埚内侧。

优选的，还包括文丘里管，所述文丘里管安装在所述抽吸管道排液口上。

优选的，还包括驱动机构，所述驱动机构包括安装在所述安装板顶部的电机以及设置在所述电机输出轴上并通过轴承设置在所述安装板底部且与所述螺纹孔相连接的丝杠。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该种高纯度晶体生长炉，通过抽吸管道对坩埚内晶体杂质进行抽取，提高接近的纯度，避免单晶开裂，保障单晶的生长。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型保温壳总成剖视结构示意图；

图3为本实用新型底盖总成结构示意图；

图4为本实用新型顶盖总成结构示意图；

图5为本实用新型驱动机构结构示意图。