[实用新型]一种处理装置和薄膜沉积设备有效
申请号: | 202320694622.3 | 申请日: | 2023-03-31 |
公开(公告)号: | CN219490156U | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 魏有雯;刘振;吴凤丽 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C14/50 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供一种处理装置和薄膜沉积设备,涉及半导体技术领域,包括具有处理腔的壳体、基板和对中调节组件,基板位于处理腔,对中调节组件与基板驱动配合,通过对中调节组件带动基板相对处理腔进行移动,从而调整基板与处理腔的相对位置,直至基板与处理腔的中心对中,以此,保证基板重新安装后的位置依然较为准确,从而在对处理腔内的半导体衬底进行处理时,能够有效避免位置偏差所导致的不利结果,提高对半导体衬底的处理质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的