[实用新型]一种处理装置和薄膜沉积设备

说明书

本申请提供一种处理装置和薄膜沉积设备，涉及半导体技术领域，包括具有处理腔的壳体、基板和对中调节组件，基板位于处理腔，对中调节组件与基板驱动配合，通过对中调节组件带动基板相对处理腔进行移动，从而调整基板与处理腔的相对位置，直至基板与处理腔的中心对中，以此，保证基板重新安装后的位置依然较为准确，从而在对处理腔内的半导体衬底进行处理时，能够有效避免位置偏差所导致的不利结果，提高对半导体衬底的处理质量。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种处理装置和薄膜沉积设备。

背景技术

随着半导体技术的发展，薄膜沉积设备被用于通过工艺技术来处理半导体衬底，该工艺技术包括：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)等。

现有薄膜沉积设备一般包括设置在反应室内的喷淋板和加热盘，喷淋板和加热盘相对设置，喷淋板可以输送处理气体到反应室中，以便可以对加热盘上的半导体衬底进行处理。在长期使用后，需要对喷淋板或者加热盘进行拆卸维护，在重新安装后，喷淋板或者加热盘可能相对反应室有些许位置的偏差，容易影响后续薄膜沉积的质量。

实用新型内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种处理装置和薄膜沉积设备，通过增加对中调节组件对基板相对处理腔的位置进行调整，以便于改善薄膜沉积的质量。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例的一方面，提供一种处理装置，包括具有处理腔的壳体、基板和对中调节组件，基板位于处理腔，对中调节组件与基板驱动配合，对中调节组件用于驱动基板相对处理腔移动，以使基板与处理腔的中心对中。

可选的，壳体具有与处理腔连通的开口，处理装置还包括活动设置于开口的支撑组件，基板经支撑组件与壳体活动连接，对中调节组件位于壳体外部，且对中调节组件通过支撑组件与基板驱动配合。

可选的，支撑组件包括支撑件和用于封闭开口的固定基座，固定基座与基板固定连接，支撑件与固定基座连接，支撑件活动设置于壳体的外壁，对中调节组件与支撑件驱动连接。

可选的，对中调节组件包括细牙螺钉，细牙螺钉的一端与壳体外壁抵接，细牙螺钉的另一端与支撑件上的螺孔螺纹连接，细牙螺钉用于驱动支撑件沿水平方向移动；

或，细牙螺钉的一端与壳体外壁的螺孔螺纹连接，细牙螺钉的另一端与支撑件的抵接，细牙螺钉用于驱动支撑件沿水平方向移动。

可选的，在细牙螺钉上设置有第一对中标识，在壳体或支撑件上设置有第二对中标识，以在基板与处理腔的中心对中时，第一对中标识与第二对中标识对齐。

可选的，支撑组件还包括水平调节组件，支撑件经水平调节组件与固定基座连接，水平调节组件用于调节固定基座与支撑件之间的距离，以使基板的板面与水平面平行。

可选的，水平调节组件包括变径螺杆，支撑件与变径螺杆的一端螺纹连接，在固定基座开设有贯穿孔，固定基座经贯穿孔套设于变径螺杆的外周，且变径螺杆的变径部与贯穿孔一端的孔口处抵接。

可选的，水平调节组件还包括螺接于变径螺杆上的自锁螺母，自锁螺母用于与支撑件抵接以使变径螺杆锁定。

可选的，在变径螺杆上还螺接有固定螺母，固定螺母与贯穿孔背离变径部的另一端孔口抵接。

可选的，贯穿孔相对两端的孔口处分别设置有第一球形面，变径部和固定螺母分别具有第二球形面，固定螺母经第二球形面与第一球形面接触以与对应的孔口处抵接，变径部经第二球形面与第一球形面接触以与对应的孔口处抵接。

本申请实施例的另一方面，提供一种薄膜沉积设备，包括处理气体源以及上述任一种的处理装置，处理气体源与处理装置的壳体的处理腔连通。